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J-GLOBAL ID：200902166906353781   整理番号：96A0495775

SiO2/SiC欠陥減少のために改善した酸化処理

Improved Oxidation Procedures for Reduced SiO2/SiC Defects.
著者 (2件)：
LIPKIN L A

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(Cree Res. Inc., NC)

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, 
PALMOUR J W

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(Cree Res. Inc., NC)

Cree Res. Inc., NC について


資料名：
Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)

Journal of Electronic Materials について


巻： 25  号： 5  ページ： 909-915  発行年： 1996年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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p型6H-SiC上に成長した酸化物内の,界面状態密度と実効酸...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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炭化ケイ素

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス材料 
(NC03020K)

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SiC

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欠陥

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酸化処理

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