単色化されたX線ビームW-Lβによって励起されたSi(001)ウエハの全反射蛍光X線分析の主ピーク形状 II

文献

J-GLOBAL ID：200902167038651882 整理番号：93A0357824

Main Peak Profiles of Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis of Si(001) Wafers Excited by Monochromatic X-Ray Beam W-Lβ(II).

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巻： 32 号： 3A ページ： 1191-1196 発行年： 1993年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記分析によるSiウエハ上の金属不純物のマッピングにおいて,...

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半導体の格子欠陥 , 無機物質の物理分析一般

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