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J-GLOBAL ID：200902167068389988   整理番号：98A0995023

分子ビームエピタクシーによりSi(111)上に成長させたGaN中の浅いBeアクセプタを示す実験証拠

Experimental evidence for a Be shallow acceptor in GaN grown on Si(111) by molecular beam epitaxy.

著者 (9件)： S<span style=text-decoration:overline> ́A</span>NCHEZ F J (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLE F (UPM, Madrid, ESP) ,  S<span style=text-decoration:overline> ́A</span>NCHEZ-GARC<span style=text-decoration:overline> ́I</span>A M A (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLEJA E (UPM, Madrid, ESP) ,  MUNOZ E (UPM, Madrid, ESP) ,  MOLLOY C H (Univ. Wales Coll. Cardiff, Cardiff, GBR) ,  SOMERFORD D J (Univ. Wales Coll. Cardiff, Cardiff, GBR) ,  SERRANO J J (UPM, Madrid, ESP) ,  BLANCO J M (UPM, Madrid, ESP)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 13  号： 10  ページ： 1130-1133  発行年： 1998年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題試料中のドープしたBeの相対濃度を2次イオン質量分析計で...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子ビームエピタクシー ,  Si ,  成長 ,  GaN ,  Be ,  アクセプタ ,  実験 ,  証拠