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J-GLOBAL ID：200902167229389819   整理番号：96A0581294

P+-ポリPMOS及びn+-ポリPMOSにおけるGIDLの比較

Comparison of GIDL in p+-poly PMOS and n+-poly PMOS Devices.
著者 (4件)：
LINDERT N

LINDERT N について

(Univ. California, CA, USA)

Univ. California, CA, USA について

, 
YOSHIDA M

YOSHIDA M について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
WANN C

WANN C について

(Univ. California, CA, USA)

Univ. California, CA, USA について

, 
HU C

HU C について

(Univ. California, CA, USA)

Univ. California, CA, USA について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 17  号： 6  ページ： 285-287  発行年： 1996年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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LDDp-MOSFETでのGIDL(ゲート誘起ドレイン漏れ電...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOSFET

MOSFET について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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禁止帯

禁止帯 について


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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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PMOS

PMOS について

, 
GIDL

GIDL について


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