単一V<sub>cc</sub>高密度フラッシュメモリに対する無接触アレイにおける2重ビット分割ゲートEEPROM(DSG)セル

文献

J-GLOBAL ID：200902167242949408 整理番号：95A0605170

単一V_cc高密度フラッシュメモリに対する無接触アレイにおける2重ビット分割ゲートEEPROM(DSG)セル

A Dual-bit Split-Gate EEPROM(DSG) Cell in Contactless Array for Single-Vcc High Density Flash Memories.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=95A0605170&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0605170&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

著者 (9件)：

MA Y

MA Y について

(Bright Microelectronics Inc., CA, USA)