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J-GLOBAL ID：200902167347898752   整理番号：01A0458388

レドックス法を用いて作製したMoチップ電界放出アレイの電界放出増強

Field-Emission Enhancement of Mo-Tip Field-Emitted Arrays Fabricated by Using a Redox Method.

著者 (6件)： LIN C M (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG S J (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  YOKOYAMA M (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN I-N (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN J F (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HUANG B R (National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 21  号： 12  ページ： 560-562  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界放出アレイ(FEA)のMoチップの放出特性を酸化還元(レ...

シソーラス用語： *電界放出アレイ ,...
準シソーラス用語： 陰極

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分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  Mo ,  電界放出アレイ ,  電界放出 ,  増強