不整方位Si(100)基板上に成長させたGaP層中の結晶欠陥の発生及び低減過程

文献

J-GLOBAL ID：200902167861761529 整理番号：98A0409386

Generation and suppression process of crystalline defects in GaP layers grown on misoriented Si(100) substrates.

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資料名：
巻： 187 号： 1 ページ： 42-50 発行年： 1998年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

GaPをMBE及びマイグレーション増強エピタクシー(MEE)...

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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