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J-GLOBAL ID:200902167861761529   整理番号:98A0409386

不整方位Si(100)基板上に成長させたGaP層中の結晶欠陥の発生及び低減過程

Generation and suppression process of crystalline defects in GaP layers grown on misoriented Si(100) substrates.
著者 (5件):
資料名:
巻: 187  号:ページ: 42-50  発行年: 1998年04月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaPをMBE及びマイグレーション増強エピタクシー(MEE)...
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体の格子欠陥 

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