文献

J-GLOBAL ID：200902167984536660   整理番号：98A0247947

Gビットのダイナミックランダムアクセスメモリの0.15μm電子ビームによる直接描画

0.15μm Electron Beam Direct Writing for Gbit Dynamic Random Access Memory Fabrication.

著者 (9件)： NAKAJIMA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMASHITA H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOJIMA Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIRASAWA S (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAMURA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMADA Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TOKUNAGA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  EMA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  NOZUE H (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 12B  ページ： 7535-7540  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GビットのDRAMを作製するための0.15μmレベルの信頼で...

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,...
準シソーラス用語： 単層レジスト

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (15件)：

• 1) Y. Nakayama, S. Okazaki, N. Saitou and H. Wakabayashi: J. Vac. Sci. Technol. B 8 (1990) 1836
• 2) H. Yasuda, K. Sakamoto, A. Yamada and K. Kawashita: Jpn. J. Appl. Phys. 5 (1991) 133.
• 3) T. Murotani, l. Naritake, T. Matano, T. Otsuki, N. Kasai, H. Koga, K. Koyama, K. Nakajima, H. Yamaguchi, H. Watanabe and T. Okuda: ISSCC Dig. Tech., pp. 254-255, 1996.
• 4) Y. Sakitani, H. Yoda, H. Todokoro, Y. Shibata, T. Yamazaki, K. Ohbitu, N. Saitou, S. Moriyama, S. Okazaki, G. Matsuoka, F. Murai and M. Okumura: J. Vac. Sci. Technol. B 10 (1992) 2759
• 5) T. Tamura, H. Yamashita, K. Nakajima and H. Nozue: Proc. SPIE 3048 (1997) 54.

タイトルに関連する用語 (4件)： ビット ,  ダイナミックランダムアクセスメモリ ,  電子ビーム ,  直接描画