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J-GLOBAL ID：200902168027428304   整理番号：98A0750188

サファイア上のエピタキシャルAlN/TiNバイレーヤの作製と特性評価

Fabrication and characterization of epitaxial AlN/TiN bilayers on sapphire.

著者 (9件)： TALYANSKY V (Univ. Maryland, MD, USA) ,  VISPUTE R D (Univ. Maryland, MD, USA) ,  RAMESH R (Univ. Maryland, MD, USA) ,  SHARMA R P (Univ. Maryland, MD, USA) ,  VENKATESAN T (Univ. Maryland, MD, USA) ,  LI Y X (Univ. Maryland, MD, USA) ,  SALAMANCA-RIBA L G (Univ. Maryland, MD, USA) ,  WOOD M C (US Army Res. Lab., MD, USA) ,  ILIADIS A A (Univ. Maryland, MD, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 323  号： 1/2  ページ： 37-41  発行年： 1998年06月22日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着でサファイア(0001)基板に標記のヘテロ構...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  エピタキシャル ,  AlN ,  TiN ,  作製 ,  特性評価