非対称チャネルプロファイルを有する0.1μmMOSFETのポテンシャル設計と輸送特性

ODANAKA S; HIROKI A

文献

J-GLOBAL ID：200902168108345985 整理番号：97A0505135

非対称チャネルプロファイルを有する0.1μmMOSFETのポテンシャル設計と輸送特性

Potential Design and Transport Property of 0.1-μm MOSFET with Asymmetric Channel Profile.

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巻： 44 号： 4 ページ： 595-600 発行年： 1997年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ゲート電極形成後の傾斜角イオン注入法による非対称チャネルプロ...

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