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J-GLOBAL ID：200902168185466434   整理番号：01A0229693

MOCVD手法により成長したMgおよびSiドープGaN薄膜の光ルミネセンス特性

Photoluminescence characteristics of Mg- and Si-doped GaN thin films grown by MOCVD technique.

著者 (5件)： RAMAIAH K S (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SU Y K (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG S J (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  JUANG F S (National Huwei Inst. Technol., Yunlin, TWN) ,  CHEN C H (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 220  号： 4  ページ： 405-412  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無ドープGaN薄膜およびドープGaN薄膜の光学特性,薄膜構造...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： MOCVD ,  手法 ,  成長 ,  Mg ,  Si ,  ドープ ,  GaN ,  薄膜 ,  光ルミネセンス