文献

J-GLOBAL ID：200902168253921250   整理番号：99A0133082

連続した表面反応を用いたSi₃N₄膜の原子層制御成長

Atomic layer controlled growth of Si₃N₄ films using sequential surface reactions.

著者 (4件)： KLAUS J W (Univ. Colorado, CO, USA) ,  OTT A W (Univ. Colorado, CO, USA) ,  DILLON A C (Univ. Colorado, CO, USA) ,  GEORGE S M (Univ. Colorado, CO, USA)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 418  号： 1  ページ： L14-L19  発行年： 1998年11月27日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続した表面反応を用いてSi(100)基板上に原子層制御をし...

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0133082&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0129B") }}

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面反応 ,  Si3N4 ,  原子層 ,  成長