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J-GLOBAL ID:200902168296278548   整理番号:99A0302229

低温サファイア窒化 分子ビームエピタキシャル成長GaN層の最適化の手掛かり

Low temperature sapphire nitridation: A clue to optimize GaN layers grown by molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
資料名:
巻: 85  号:ページ: 1550-1555  発行年: 1999年02月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高周波プラズマ源を用いてMBE成長させたGaNエピ層の特性改...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  プラズマ応用 

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