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J-GLOBAL ID：200902168296278548   整理番号：99A0302229

低温サファイア窒化 分子ビームエピタキシャル成長GaN層の最適化の手掛かり

Low temperature sapphire nitridation: A clue to optimize GaN layers grown by molecular beam epitaxy.
著者 (4件)：
WIDMANN F

WIDMANN F について

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FEUILLET G

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DAUDIN B

DAUDIN B について

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ROUVIERE J L

ROUVIERE J L について

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資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 85  号： 3  ページ： 1550-1555  発行年： 1999年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高周波プラズマ源を用いてMBE成長させたGaNエピ層の特性改...
シソーラス用語：
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*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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プラズマ窒化

プラズマ窒化 について

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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  プラズマ応用 
(BJ02110K)

プラズマ応用 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
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サファイア

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窒化

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分子ビームエピタキシャル成長

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GaN

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最適化

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手掛かり

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