a-Si:H/a-Si<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>:H多層膜での界面特性の定光電流法による評価

WANG F; FISCHER T; MUSCHIK T; SCHWARZ R

文献

J-GLOBAL ID：200902168407603214 整理番号：94A0022712

a-Si:H/a-Si_xC_1-x:H多層膜での界面特性の定光電流法による評価

Characterization of interface properties in a-Si:H/a-Si_xC_1-x:H multilayers by the constant photocurrent method.

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資料名：
巻： 68 号： 5 ページ： 737-751 発行年： 1993年11月
JST資料番号： H0004B ISSN： 1364-2812 CODEN： PMABDJ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

標記多層膜の界面特性を評価するために,定光電流法(CPM)を...

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不純物・欠陥の電子構造 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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a-Si:H/a-SixC1-x:H多層膜での界面特性の定光電流法による評価

a-Si:H/a-Si_xC_1-x:H多層膜での界面特性の定光電流法による評価