Ni/Au膜の酸化によるp型GaNへの低抵抗Ohm性接触

HO J-K; JONG C-S; CHIU C C; HUANG C-N; SHIH K-K; CHEN L-C; CHEN F-R; KAI J-J

文献

J-GLOBAL ID：200902168448232255 整理番号：99A1023319

Ni/Au膜の酸化によるp型GaNへの低抵抗Ohm性接触

Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Au films.

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資料名：
巻： 86 号： 8 ページ： 4491-4497 発行年： 1999年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記接触はp型GaN上に蒸着したNi/Au二層膜を空気中で熱...

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半導体-金属接触

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