β-NMR法によるシリコン中ホウ素のイオン植え込み位置の研究

文献

J-GLOBAL ID：200902168574280052 整理番号：00A0140879

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=00A0140879&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0140879&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0671B") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 54 号： 2 第4分冊ページ： 908 発行年： 1999年09月03日
JST資料番号： S0671B ISSN： 1342-8349 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , , , ,

前のページに戻る