改善した液相エピタクシー法により成長した高電圧ひ化ガリウムP-i-N層のプロセスと素子特性評価

文献

J-GLOBAL ID：200902168655314857 整理番号：94A0057145

Process and device characterization of high voltage gallium arsenide P-i-N layers grown by an improved liquid phase epitaxy method.

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巻： 36 号： 12 ページ： 1749-1755 発行年： 1993年12月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

改善したLPE法によってP<sup>+</sup>とN<su...

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