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J-GLOBAL ID：200902168876004267   整理番号：98A0408444

高周波バイアスプラズマ化学蒸着させた窒化けい素膜の応力評価

Stress evaluation of radio-frequency-biased plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride films.

著者 (2件)： MAEDA M (NTT System Electroncis Lab., Kanagawa, JPN) ,  IKEDA K (NTT System Electroncis Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 83  号： 7  ページ： 3865-3870  発行年： 1998年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記窒化けい素膜の全応力はrfバイアスの増加とともに引張りか...

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波バイアス ,  プラズマ化学蒸着 ,  窒化 ,  けい素膜 ,  応力 ,  評価