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J-GLOBAL ID：200902168935219019   整理番号：93A0778230

非極性GaAs基板上へのAlGaAsの有機金属気相エピタクシーにおけるドーパント移動と横方向p-n接合

Dopant migration and lateral p-n junctions in metalorganic vapor phase epitaxy of AlGaAs on nonplanar GaAs substrates.

著者 (3件)： WANG T Y (Polaroid Corp., Massachusetts) ,  HEATH L S (Polaroid Corp., Massachusetts) ,  STUTIUS W (Polaroid Corp., Massachusetts)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 63  号： 6  ページ： 755-757  発行年： 1993年08月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前もってリッジを形成した(100)GaAs基板を用いることに...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 横方向PN接合 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非極性 ,  GaAs基板 ,  AlGaAs ,  有機金属気相エピタクシー ,  ドーパント ,  横方向 ,  p-n接合