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J-GLOBAL ID：200902169038360058   整理番号：95A0689588

電子デバイス用材料の微小領域分析・計測 極限への挑戦 顕微光応答法によるショットキー障壁高さの局所領域評価

Microscopic Characterization of Schottky Barrier Height by Scanning Internal-Photoemission Microscopy.

著者 (1件)： 奥村次徳 (東京都大 工)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 34  号： 7  ページ： 883-888  発行年： 1995年07月 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標題の方法(SIPM)は,近赤外光を基板裏面に入射して光電子...

シソーラス用語： Schottky障壁 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  光電子放出  (BM09030D)

引用文献 (28件)：

• BRILLSON, L. J. Contacts to Semiconductors. 1993
• 河東田隆. 半導体評価技術. 1989, 166
• 河東田隆. 半導体評価技術. 1989, 303
• 秋本晃一. 応用物理. 1989, 58, 66
• KAISER, W. J. Phys. Rev. Lett. 1988, 60, 1406

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子デバイス ,  微小領域 ,  分析 ,  計測 ,  極限 ,  光応答 ,  ショットキー障壁高さ ,  評価