エキシマレーザー結晶化多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度増加の限界

HARA A; TAKEUCHI F; SASAKI N

文献

J-GLOBAL ID：200902169367016015 整理番号：02A0224612

エキシマレーザー結晶化多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度増加の限界

Mobility enhancement limit of excimer-laser-crystallized polycrystalline silicon thin film transistors.

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巻： 91 号： 2 ページ： 708-714 発行年： 2002年01月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ガラス基板上に450°Cプロセスで作製した標記薄膜トランジスタ...

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造

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