熱化学気相蒸着によりけい素チップ上に直接成長した単壁カーボンナノチューブを用いる超低バイアス印加の電界エミッタ

MATSUMOTO K; KINOSITA S; GOTOH Y; UCHIYAMA T; MANALIS S; QUATE C

文献

J-GLOBAL ID：200902169413244214 整理番号：01A0326785

熱化学気相蒸着によりけい素チップ上に直接成長した単壁カーボンナノチューブを用いる超低バイアス印加の電界エミッタ

Ultralow biased field emitter using single-wall carbon nanotube directly grown onto silicon tip by thermal chemical vapor deposition.

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資料名：
巻： 78 号： 4 ページ： 539-540 発行年： 2001年01月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

熱化学気相蒸着(CVD)によりけい素チップ上に単壁カーボンナ...

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熱電子放出,電界放出

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