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J-GLOBAL ID：200902169422914044   整理番号：01A0329758

高伝導性GaN単結晶の電気化学エッチング

Electrochemical etching of highly conductive GaN single crystals.
著者 (5件)：
NOWAK G

NOWAK G について

(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)

High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL について

, 
XIA X H

XIA X H について

(Utrecht Univ., Utrecht, NLD)

Utrecht Univ., Utrecht, NLD について

, 
KELLY J J

KELLY J J について

(Utrecht Univ., Utrecht, NLD)

Utrecht Univ., Utrecht, NLD について

, 
WEYHER J L

WEYHER J L について

(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)

High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL について

, 
POROWSKI S

POROWSKI S について

(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)

High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 222  号： 4  ページ： 735-740  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高ドープGaN単結晶の(0001)Ga極性表面を暗所希釈KO...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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*陽極酸化

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分類 (1件)：
分類
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試料技術 
(BA02070O)

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タイトルに関連する用語 (3件)：
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GaN

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単結晶

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電気化学エッチング

電気化学エッチング について


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