文献

J-GLOBAL ID：200902169452741837   整理番号：97A0294329

ナノスケールのフローティングゲートと超浅チャネルを持つ室温シリコン単一電子金属-酸化物-半導体メモリ

A room-temperature silicon single-electron metal-oxide-semiconductor memory with nanoscale floating-gate and ultranarrow channel.

著者 (3件)： GUO L (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  LEOBANDUNG E (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  CHOU S Y (Univ. Minnesota, Minnesota)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 7  ページ： 850-852  発行年： 1997年02月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一電子のDebyeスクリーニング長よりも短い幅(約10nm...

シソーラス用語： MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0294329&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノスケール ,  フローティングゲート ,  チャネル ,  室温 ,  シリコン ,  単一電子 ,  酸化物 ,  半導体メモリ