白金無電解析出の第1段階に対するシリコンドーピング効果の原子間力顕微鏡研究

GOROSTIZA P; DIAZ R; SERVAT J; SANZ F; MORANTE J R

文献

J-GLOBAL ID：200902169554936837 整理番号：97A0437052

白金無電解析出の第1段階に対するシリコンドーピング効果の原子間力顕微鏡研究

Atomic Force Microscopy Study of the Silicon Doping Influence on the First Stages of Platinum Electroless Deposition.

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資料名：
巻： 144 号： 3 ページ： 909-914 発行年： 1997年03月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

HF溶液から(100)Si上へのPt無電解析出の第1段階を,...

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その他の無触媒反応 , 半導体の表面構造 , 白金族元素の錯体

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