GaN金属-半導体電界効果トランジスタならびにバイポーラ接合トランジスタの高温信頼性

YOSHIDA S; SUZUKI J

文献

J-GLOBAL ID：200902169559903953 整理番号：99A0618600

GaN金属-半導体電界効果トランジスタならびにバイポーラ接合トランジスタの高温信頼性

High-temperature reliability of GaN metal semiconductor field-effect transistor and bipolar junction transistor.

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巻： 85 号： 11 ページ： 7931-7934 発行年： 1999年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ガスソース分子線エピタクシー(GSMBE)を用いて高品質のG...

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , トランジスタ

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