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J-GLOBAL ID:200902169630327918   整理番号:99A0706086

紫外線照射下のGaAs中のSi-HおよびSi-D複合体の解離のカイネティクスにおける強い同位体効果

Strong isotope effects in the dissociation kinetics of Si-H and Si-D complexes in GaAs under ultraviolet illumination.
著者 (5件):
資料名:
巻: 75  号:ページ: 112-114  発行年: 1999年07月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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3.5eVの紫外光をGaAsに当てると,Si-H複合体は室温...
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分類 (1件):
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半導体の格子欠陥 

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