文献

J-GLOBAL ID：200902169630327918   整理番号：99A0706086

紫外線照射下のGaAs中のSi-HおよびSi-D複合体の解離のカイネティクスにおける強い同位体効果

Strong isotope effects in the dissociation kinetics of Si-H and Si-D complexes in GaAs under ultraviolet illumination.

著者 (5件)： CHEVALLIER J (Lab. Physique des Solides de Bellevue, CNRS, Meudon, FRA) ,  BARBE M (Lab. Physique des Solides de Bellevue, CNRS, Meudon, FRA) ,  CONSTANT E (Inst. Electronique et de Micro<span style=text-decoration:overline> ́e</span>lectronique du Nord, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  LORIDANT-BERNARD D (Inst. Electronique et de Micro<span style=text-decoration:overline> ́e</span>lectronique du Nord, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  CONSTANT M (Univ. Sci. et Techniques de Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 1  ページ： 112-114  発行年： 1999年07月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3.5eVの紫外光をGaAsに当てると,Si-H複合体は室温...

シソーラス用語： 紫外線照射 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0706086&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 紫外線照射 ,  GaAs ,  Si ,  複合体 ,  解離 ,  同位体効果