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J-GLOBAL ID:200902169648392598   整理番号:01A0743521

アルミニウムゲートをもつMOSFETにおける分子ビーム堆積酸化イットリウム誘電体 有効電子移動度

Molecular-beam-deposited yttrium-oxide dielectrics in aluminum-gated metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Effective electron mobility.
著者 (6件):
資料名:
巻: 78  号: 26  ページ: 4169-4171  発行年: 2001年06月25日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸化イットリウムを誘電体薄膜として使用した標記素子構造で,高...
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 

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