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J-GLOBAL ID:200902170189832383   整理番号:01A1067563

Si陽極化成法による高アスペクト微細孔の部分選択的形成

著者 (5件):
資料名:
巻: 2001  ページ: 85  発行年: 2001年09月13日 
JST資料番号: X0038A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  電極過程 
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