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J-GLOBAL ID：200902170189832383   整理番号：01A1067563

Si陽極化成法による高アスペクト微細孔の部分選択的形成

著者 (5件)： 佐藤裕崇 (早稲田大 理工) ,  高橋じゅん (早稲田大 理工) ,  本間敬之 (早稲田大 理工) ,  逢坂哲弥 (早稲田大 理工) ,  庄子習一 (早稲田大 理工)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集  (電気化学合同秋季大会講演要旨集)
巻： 2001  ページ： 85  発行年： 2001年09月13日 
JST資料番号： X0038A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *陽極酸化処理 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電極過程  (CB07040U)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  陽極化成 ,  微細孔