MOSFETのGIDLに対する3端子バンドツーバンドトンネリングの解析的モデル

CHEN J-H; WONG S-C; WANG Y-H

文献

J-GLOBAL ID：200902170203914770 整理番号：01A0802743

MOSFETのGIDLに対する3端子バンドツーバンドトンネリングの解析的モデル

An Analytic Three-Terminal Band-to-Band Tunneling Model on GIDL in MOSFET.

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資料名：
巻： 48 号： 7 ページ： 1400-1405 発行年： 2001年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

n-MOSFETのGIDL(ゲート誘起ドレイン漏れ電流)に対...

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トランジスタ , CAD,CAM

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