Si(100)表面およびSiO<sub>2</sub>/Si(100)界面における酸化物成長の第一原理研究

KAGESHIMA H; SHIRAISHI K

文献

J-GLOBAL ID：200902170298228453 整理番号：99A0276181

Si(100)表面およびSiO₂/Si(100)界面における酸化物成長の第一原理研究

First-Principles Study of Oxide Growth on Si(100) Surfaces and at SiO₂/Si(100) Interfaces.

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資料名：
巻： 81 号： 26, Pt.1 ページ： 5936-5939 発行年： 1998年12月28日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の表面と界面におけるSi酸化物成長の原子過程のエネルギー...

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半導体の表面構造

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Si(100)表面およびSiO2/Si(100)界面における酸化物成長の第一原理研究

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