文献
J-GLOBAL ID:200902170300883103   整理番号:94A0958985

ほぼ理想に近い降伏電圧を有するSiC素子の簡単なエッジの処理

A Simple Edge Termination for Silicon Carbide Devices with Nearly Ideal Breakdown Voltage.
著者 (3件):
資料名:
巻: 15  号: 10  ページ: 394-395  発行年: 1994年10月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SiC素子でほぼ理想に近い平行平面降伏を実現できる簡単なエッ...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0958985&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
ダイオード 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る