文献

J-GLOBAL ID：200902170300883103   整理番号：94A0958985

ほぼ理想に近い降伏電圧を有するSiC素子の簡単なエッジの処理

A Simple Edge Termination for Silicon Carbide Devices with Nearly Ideal Breakdown Voltage.

著者 (3件)： ALOK D (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  MCLARTY P K (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 15  号： 10  ページ： 394-395  発行年： 1994年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC素子でほぼ理想に近い平行平面降伏を実現できる簡単なエッ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 降伏電圧 ,  SiC素子 ,  エッジ