ひ素を使わないGaAs基板調製とバッファ層を用いないGaAs/AlGaAs多重量子井戸の直接成長

文献

J-GLOBAL ID：200902170336295240 整理番号：95A0707573

Arsenic-free GaAs substrate preparation and direct growth of GaAs/AlGaAs multiple quantum well without buffer layer.

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資料名：
巻： 150 号： 1/4 Pt 1 ページ： 13-17 発行年： 1995年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

調製チェンバ中でAsフラックス使用しないGaAs基板の高温処...

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半導体薄膜

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