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J-GLOBAL ID：200902170392127148   整理番号：00A0938325

メモリ及び論理デバイスのための二酸化シリコンに代わる誘電体

Alternative dielectrics to silicon dioxide for memory and logic devices.
著者 (3件)：
KINGON A I

KINGON A I について

(North Carolina State Univ., North Carolina, USA)

North Carolina State Univ., North Carolina, USA について

, 
MARIA J-P

MARIA J-P について

(North Carolina State Univ., North Carolina, USA)

North Carolina State Univ., North Carolina, USA について

, 
STREIFFER S K

STREIFFER S K について

(Argonne National Lab., Illinois, USA)

Argonne National Lab., Illinois, USA について


資料名：
Nature (London)  (Nature (London))

Nature (London) について


巻： 406  号： 6799  ページ： 1032-1038  発行年： 2000年08月31日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si基板上の回路の集積度向上に関して素子パラメータのスケール...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

MOSFET について

,...
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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  研究開発 
(AA03000V)

研究開発 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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論理デバイス

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, 
二酸化シリコン

二酸化シリコン について

, 
誘電体

誘電体 について


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