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J-GLOBAL ID：200902170495671873   整理番号：01A1010208

Si₃N₄/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ

Si₃N₄/AlGaN/GaN-metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors.

著者 (8件)： HU X (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  KOUDYMOV A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  SIMIN G (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  ASIF KHAN M (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  TARAKJI A (Sensor Electronic Technol., Inc., New York) ,  SHUR M S (Sensor Electronic Technol., Inc., New York) ,  GASKA R (Sensor Electronic Technol., Inc., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 17  ページ： 2832-2834  発行年： 2001年10月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si₃N₄膜をチ...

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si3N4 ,  AlGaN ,  GaN ,  絶縁体 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ