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J-GLOBAL ID：200902170545021492   整理番号：99A0610114

新しい不動態化構造を有する分子線エピタキシー(MBE)成長AlGaAs層の無砒素の高温表面洗浄

Arsenic-free high-temperature surface cleaning of molecular beam epitaxy(MBE)-grown AlGaAs layer with new passivation structure.

著者 (4件)： IIZUKA K (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  WATANABE H (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  SUZUKI T (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  OKAMOTO H (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 201/202  ページ： 174-177  発行年： 1999年05月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不動態化 ,  分子線エピタキシー ,  MBE ,  成長 ,  AlGaAs ,  砒素 ,  表面洗浄