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J-GLOBAL ID：200902170795613891   整理番号：02A0622569

SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御

Control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlGaN with high Al content.

著者 (3件)： 谷保芳孝 (NTT 物性科学基礎研) ,  嘉数誠 (NTT 物性科学基礎研) ,  小林直樹 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102  号： 114(ED2002 44-72)  ページ： 61-64  発行年： 2002年06月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siドーパント濃度を制御することにより,n型伝導性AlNおよ...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ドープ ,  AlN ,  Al ,  組成 ,  AlGaN ,  N型伝導