GaAsの(100)面上にガスソースMBE法で作製したAlN-GaNの1/4波長多層反射鏡

文献

J-GLOBAL ID：200902171066803679 整理番号：95A0213251

AlN-GaN quarter-wave reflector stack grown by gas-source MBE on (100) GaAs.

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巻： 31 号： 1 ページ： 68-69 発行年： 1995年01月05日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

青緑色帯域での応用を目標に,15周期からなる標記反射鏡を作製...

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