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J-GLOBAL ID：200902171426205948   整理番号：97A0607590

昇華サンドイッチ法による炭化けい素バルク結晶の成長

Growth of silicon carbide bulk crystals by the sublimation sandwich method.

著者 (4件)： MOKHOV E N (A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  RAMM M G (A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  ROENKOV A D (A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  VODAKOV YU A (A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B46  号： 1/3  ページ： 317-323  発行年： 1997年04月 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCのエピ層成長に用いられてきた昇華サンドイッチ法によりバ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 昇華 ,  サンドイッチ ,  炭化けい素 ,  バルク結晶 ,  成長