GaNの選択領域エピタクシー中の異方性エピタキシャル横方向成長(ELO)

KAPOLNEK D; KELLER S; VETURY R; UNDERWOOD R D; KOZODOY P; DEN BAARS S P; MISHRA U K

文献

J-GLOBAL ID：200902171479511307 整理番号：97A0875188

GaNの選択領域エピタクシー中の異方性エピタキシャル横方向成長(ELO)

Anisotropic epitaxial lateral growth in GaN selective area epitaxy.

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資料名：
巻： 71 号： 9 ページ： 1204-1206 発行年： 1997年09月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaN選択エピタクシー中に起こるエピタキシャルな横方向のマス...

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半導体薄膜

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