高密度スピントンネリングランダムアクセスメモリの実現可能性

WANG Z G; MAPPS D J; HE L N; CLEGG W W; WILTON D T; ROBINSON P; NAKAMURA Y

文献

J-GLOBAL ID：200902171539867386 整理番号：98A0108543

高密度スピントンネリングランダムアクセスメモリの実現可能性

Feasibility of Ultra-Dense Spin-Tunneling Random Access Memory.

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資料名：
巻： 33 号： 6 ページ： 4498-4512 発行年： 1997年11月
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

三次元有限要素法モデルによりスピントンネリングランダムアクセ...

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磁電デバイス , 電子・磁気・光学記録

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