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J-GLOBAL ID：200902171639774504   整理番号：98A0871076

ガリウムアジドのデトネーションにより作製したナノ結晶GaNのミクロ構造評価

Microstructural Characterisation of Nanocrystalline GaN Prepared by Detonations of Gallium Azides.

著者 (9件)： FRANK A C (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  STOWASSER F (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  STARK O (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  KWAK H-T (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  RUPP A (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  PRITZKOW H (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  AMBACHER O (Technische Univ. Muenchen, Muenchen, DEU) ,  GIERSIG M (Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU) ,  FISCHER R A (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
資料名： Advanced Materials for Optics and Electronics  (Advanced Materials for Optics and Electronics)
巻： 8  号： 3  ページ： 135-146  発行年： 1998年05月 
JST資料番号： T0361B  ISSN： 1057-9257  CODEN： AMELE7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (R₃N)Ga(N<sub>3</su...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガリウム ,  アジド ,  デトネーション ,  作製 ,  ナノ結晶 ,  GaN ,  構造評価