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J-GLOBAL ID：200902171687332823   整理番号：01A0476292

結晶性及び非結晶性SrBi₂Ta₂O₉薄膜の構造及び電気特性に対するアルゴンを用いたドライエッチングの効果

Influence of Dry Etching using Argon on Structural and Electrical Properties of Crystalline and Non-Crystalline SrBi₂Ta₂O₉ Thin Films.

著者 (8件)： HARTNER W (Siemens AG, Munich, DEU) ,  SCHINDLER G (Siemens AG, Munich, DEU) ,  WEINRICH V (Siemens AG, Munich, DEU) ,  AHLSTEDT M (Siemens AG, Munich, DEU) ,  SCHROEDER H (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  WASER R (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  DEHM C (Siemens AG, Munich, DEU) ,  MAZURE C (Siemens AG, Munich, DEU)
資料名： Integrated Ferroelectrics  (Integrated Ferroelectrics)
巻： 27  号： 1/4  ページ： 213-225  発行年： 1999年11月 
JST資料番号： W0539A  ISSN： 1058-4587  CODEN： IFEREU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶性 ,  非結晶性 ,  薄膜 ,  電気特性 ,  アルゴン ,  ドライエッチング