レーザアブレーションで作ったエルビウムをドープしたシリコン薄膜の室温における発光

KOMURO S; MARUYAMA S; MORIKAWA T; ZHAO X; ISSHIKI H; AOYAGI Y

文献

J-GLOBAL ID：200902171771777652 整理番号：97A0160952

レーザアブレーションで作ったエルビウムをドープしたシリコン薄膜の室温における発光

Room-temperature luminescence from erbium-doped silicon thin films prepared by laser ablation.

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資料名：
巻： 69 号： 25 ページ： 3896-3898 発行年： 1996年12月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

KrFエキシマレーザ光によるアブレーションを利用して,制御し...

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半導体のルミネセンス

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