研究者
J-GLOBAL ID：200901001829147712   更新日: 2024年04月08日

一色 秀夫

イツシキ ヒデオ | ISSHIKI Hideo
所属機関・部署：
電気通信大学 大学院情報理工学研究科、情報理工学域基盤理工学専攻、III類(理工系)

電気通信大学 大学院情報理工学研究科、情報理工学域基盤理工学専攻、III類(理工系) について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www.flex.es.uec.ac.jp/
研究分野 (1件)： 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (11件)： ヘテロ集積 ,  epitaxial growth ,  rare-earth ,  diamond ,  furactal ,  silicon photonics ,  エピタキシャル成長 ,  希土類 ,  ダイヤモンド ,  フラクタル ,  シリコンフォトニクス
競争的資金等の研究課題 (9件)：
  • 2000 - 2001 希土類ドープSi系半導体光導波路を用いたアクティブ光回路デバイスの開発
  • 2000 - 2001 ErドープSiO_2/Si極薄多層膜構造のEr1.54μm発光のダイナミクス
  • 1999 - 2001 低速多価イオンビームによる原子操作
  • 1997 - 1997 半導体量子閉じ込め構造間の電子相互作用による秩序形成と光相互作用に関する共同研究
  • 1996 - 1997 希土類元素添加Siナノ構造を用いた光メモリーに関する研究
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論文 (131件)：
  • 一色 秀夫. Si プラットフォーム上ダイヤモンドデバイス集積の実現に向けて. 日本信頼性学会誌「信頼性」. 2024. 46. 2. 49-54
  • Asuka Ishizawa, Hiroaki Aizawa, Hideo Isshiki, Shinichiro Kaku, Kazuto Miyano, Xinwei Zhao, Mariko Murayama. A significant increase in carrier concentration in TiO2 by Sm doping. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP79-03SP79
  • Mehdi Ali, Daiki Yamashita, Hideo Isshiki. Growth of CuAlO2 on SiO2 under a layer-by-layer approach conducted by digitally processed DC sputtering and its transistor characteristics. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 035502-035502
  • 一色 秀夫, 中村 弦人, 田中 康仁, 税所 慎一郎. 反応性ガスパルスと同期したデジタル処理DCスパッタリング. 表面と真空. 2023. 66. 8. 484-489
  • Ghent Nakamura, Hideo Isshiki. Atomically Precise Deposition of (Er0.1Y0.9)2SiO5 Combined with Digitally Processed DC Sputtering and Non-Radical Oxidation. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2022. 40. 5. 053406-1-053406-6
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MISC (6件)：
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特許 (7件)：
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書籍 (5件)：
  • 理工学のための数学入門 微分方程式・ラプラス変換・フーリエ解析
    オーム社 2020 ISBN:9784274226137
  • 電気電子数学入門 微分方程式・ラプラス変換・フーリエ解析
    オーム社 2012
  • シリコンフォトニクス
    オーム社 2007
  • 電子材料ハンドブック
    朝倉書店 2007
  • Conduction Subband Formation in (GaAs)m(GaP)n Fractal struceured Atomic -Layer-Superlattice Grown by Atomic Layer Epitaxy
    CO-ROM 1999
講演・口頭発表等 (59件)：
  • Synthesis of CuAlO2/Si heterostructures by DPDS-assisted LBL approach and their transistor characteristics
    (2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM) 2023)
  • Formation of (Er0.1Y0.9)2Zr2O7 waveguide amplifier by digitally processed DC sputtering toward heterogeneous integration on SiNx waveguide circuits
    (E-MRS 2023 SPRING MEETING 2023)
  • Synthesis of functional crystalline oxides by digitally processed DC sputtering synchronized with oxygen gas pulsing
    (E-MRS 2023 SPRING MEETING 2023)
  • Evaluation of NV0 defects in single-crystal diamonds using Raman spectroscopy
    (E-MRS 2023 SPRING MEETING 2023)
  • The Role of Reactive Gas Pulsing Synchronized with Digitally Processed DC Sputtering
    (The 22nd International Vacuum Congress 2022)
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学歴 (4件)：
  • - 1992 電気通信大学 電気通信学研究科 電子工学専攻
  • - 1987 電気通信大学 電気通信学研究科 応用電子工学専攻
  • - 1985 電気通信大学 電気通信学部 応用電子工学科
  • 1977 - 1980 埼玉県立大宮高等学校
学位 (2件)：
  • 工学修士 (電気通信大学)
  • 博士(工学) (電気通信大学)
経歴 (8件)：
  • 2016/04/01 - 電気通信大学 大学院 情報理工学研究科 基盤理工学専攻 教授
  • 2013/03/01 - 2016/03/31 電気通信大学 大学院 情報理工学研究科 先進理工学専攻 教授
  • 2007/04 - 2013/02 電気通信大学 大学院 情報理工学研究科 先進理工学専攻 准教授
  • 2004/02 - 2007/03 電気通信大学 電気通信学部 電子工学科 助教授
  • 1997/04 - 2004/01 電気通信大学 電気通信学部 電子工学科 助手
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委員歴 (10件)：
  • 2019/06 - 現在 電子情報通信学会 光集積及びシリコンフォトニクス特別研究専門委員会 委員
  • 2014/08 - 現在 電子情報通信学会 システムナノ技術に関する特別研究専門委員会 委員
  • - 現在 電子材料シンポジウム 論文委員
  • 2019/06 - 2021/06 電子情報通信学会 光集積及びシリコンフォトニクス特別研究専門委員会 委員長
  • 2018/09/01 - 2019/05/31 電子情報通信学会 シリコンフォトニクス特別研究専門委員会 委員長
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所属学会 (4件)：
American Vacuum Society(AVS) ,  ニューダイヤモンドフォーラム ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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