高伝導性広幅バンドギャップa-SiC:Hをキャリア注入層として用いたa-SiC:H薄膜可視光放出ダイオード

文献

J-GLOBAL ID：200902171785213425 整理番号：94A0402609

a-SiC:H thin film visible light-emitting diodes with highly conductive wide band gap a-SiC:H as the carrier injection layers.

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資料名：
巻： 164/166 号： Pt 2 ページ： 813-816 発行年： 1993年12月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標題について,発光ダイオードの製作と特性に着目して検討した。...

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発光素子

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