各セルに磁気トンネル接合とFETスイッチを持つ10ns読出し,書込み不揮発性メモリアレイ

SCHEUERLEIN R; GALLAGHER W; PARKIN S; LEE A; RAY S; ROBERTAZZI R; REOHR W

文献

J-GLOBAL ID：200902172024514100 整理番号：00A0659220

各セルに磁気トンネル接合とFETスイッチを持つ10ns読出し,書込み不揮発性メモリアレイ

A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell.

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SCHEUERLEIN R

SCHEUERLEIN R について

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(IBM Res. Almaden Res. Center, CA)

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資料名：

Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

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巻： 43 ページ： 128-129 発行年： 2000年02月
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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従来の磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)に代わる新しい不...

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