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J-GLOBAL ID：200902172213908194   整理番号：95A0877987

Study of SiC X-ray Mask Distortion Induced by Backetching Receding Subtractive Fabrication Process.

著者 (9件)： TSUBOI S (SORTEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SHOKI T (HOYA Corp., Tokyo, JPN) ,  OHTA T (Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  OKUYAMA H (SORTEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  ASHIKAGA K (SORTEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMASHITA Y (SORTEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  OHKUBO R (HOYA Corp., Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Y (HOYA Corp., Tokyo, JPN) ,  HOGA H (Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 2512  ページ： 160-166  発行年： 1995年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： SiC