文献

J-GLOBAL ID：200902172223734291   整理番号：96A0103596

Si基板上に成長させたSiGeC合金の光学及び電子特性

Optical and electronic properties of SiGeC alloys grown on Si substrates.

著者 (9件)： KOLODZEY J (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  BERGER P R (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  ORNER B A (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  HITS D (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  CHEN F (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  KHAN A (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  SHAO X (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  WAITE M M (Dupont Experimental Station, Delaware, USA) ,  UNRUH K M (Univ. Delaware, Delaware, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 157  号： 1/4  ページ： 386-391  発行年： 1995年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準安定なSi_1-x-yGe<sub>x...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 価電子帯

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0103596&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  成長 ,  光学 ,  電子