四塩化けい素プラズマ中での窒化ガリウムの反応性イオンエッチング

ADESIDA I; MAHAJAN A; ANDIDEH E; KHAN M A; OLSEN D T; KUZNIA J N

文献

J-GLOBAL ID：200902172298197720 整理番号：94A0028123

四塩化けい素プラズマ中での窒化ガリウムの反応性イオンエッチング

Reactive ion etching of gallium nitride in silicon tetrachloride plasmas.

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資料名：
巻： 63 号： 20 ページ： 2777-2779 発行年： 1993年11月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記エッチング特性を20~80mTorrの圧力範囲で調べた。...

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プラズマ応用 , 固体デバイス製造技術一般

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